用于 PERC, TOPCon, XBC等高效电池技术路线的应用
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优异的温度控制和等离子控制系统,可兼容PECVD工艺,搭配超高载片量的石墨舟设计,在确保设备产能的同时大幅提升电池转换效率
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精准制备薄膜厚度小于2nm的隧穿氧化硅,同时兼容多种材料与工艺,包括 SiO₂/poly-Si(n+), poly-Si(p+), Al₂O₃/SiNx 等
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提供 TOPCon 量产工艺 PEALD/ PECVD 路线集成技术,钝化接触技术所需多晶硅原位掺杂浓度(1E20~1E21)可调
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针对新型PE-TOPCon电池技术核心的隧穿氧化层与多晶硅薄膜研发了可镀导电膜、原位掺杂与无爆膜的管式PEALD/PECVD ToxPoly同管集成技术,研究成果被广泛转载并成功完成产业化
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